お仕事詳細

使い方ガイド

求人NO.:1-133757

[電気・電子・機械系] 設計・開発

  • 正社員

半導体成膜装置の成膜プロセス(レシピ)開発<C-3‐1>

  • 土日祝休み
  • 即日
  • 長期
  • フレックス
  • 残業月20時間程度

  • 国内外への長期出張が可能な方未経験
  • エピ成膜に興味がある方未経験

求人概要

お仕事内容

お仕事詳細

業務内容
〇エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。

・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法(レシピ)の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援

※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います

〇エピタキシャル成長製造装置の特徴

①ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
②緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
③高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。

プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。

【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等)

【入社後お任せしたい業務】
・プロセス
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、
デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。

募集条件

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待遇・福利厚生

勤務地 ・本社:神奈川県横浜市磯子区新杉田町8-1※最寄駅:JR京浜東北根岸線/新杉田駅・受動喫煙対策:屋内全面禁煙・転勤:なし
就業時間  08:45 ~ 17:30(休憩1時間・実働7時間)
残業時間  月20時間程度
休日  土 / 日 / 祝
雇用形態  正社員
給与/報酬

正社員年収 420万円 ~ 730万円
正社員月額 23万円 ~ 42万円

契約期間 即日 長期
契約更新 6ヶ月ごと
担当エージェント 中川西洋樹